| 型号： | IPD135N03L G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSF N CH 30V 30A PG-TO252-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPD135N03L G PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 31W |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 包装 | * |
| 其它名称 | IPD135N03L GCT |